Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
От производителя
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
30 декабря 2025 в 16:04
72
26 декабря 2025 в 23:00
86
26 декабря 2025 в 17:50
87
26 декабря 2025 в 14:14
99
26 декабря 2025 в 12:59
97
Никто пока не комментировал эту страницу.