Технология LDMOS в НИИ электронной техники была освоена в еще 2006 году и за прошедшее время предприятие представило более 50 типономиналов ВЧ и СВЧ LDMOS-транзисторов.
Для создания транзисторов КП9171А и КП9171БС специалистами АО «НИИЭТ» была значительно усовершенствована конструкция СВЧ-кристаллов и доработана технология их изготовления, что позволило воплотить в жизнь ряд принципиально новых конструктивно-технологических решений, направленных на существенное улучшение радиочастотных характеристик, линейности, повышение надежности транзисторов, обеспечение высокой стабильности их энергетических параметров при длительной наработке.
На частотах до 1ГГц по выходной мощности КП9171А и КП9171БС не уступают GaN-транзисторам, что позволяет широко использовать их в передатчиках цифрового телевизионного вещания стандарта DVB T2, где применение GaN-транзисторов не целесообразно. Благодаря своим передовым характеристикам транзисторы КП9171А и КП9171БС будут востребованы и в других областях, например, в системах радиолокации, навигации и связи.
Никто пока не комментировал эту страницу.