Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении
От производителя
В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.
Учитывая всё сказанное, предлагается изменить классификацию структурных элементов, изложив п. 6.1.1 стандарта [2] в такой редакции:
6.1.1 В общем случае в ТД, содержащие в основном сплошной текст, включают следующие структурные документы:
- титульный лист;
- разделы:
- предисловие;
- содержание;
- обозначения и сокращения;
- термины и определения;
- разделы, составляющие основное тематического содержание документа;
- приложения;
- ссылочные нормативные документы;
- ссылочные документы;
- библиография,
- лист регистрации изменений.
Кроме устранения классификационных ошибок, данное предложение позволит избежать случаев ошибочной синонимичности, когда титульный лист и лист регистрации изменений могли восприниматься как синонимы термину раздел.
Предложенная классификация должна быть распространена и на текстовые документы, выполняемые по [4], позволяя выпускать их с титульным листом и листом регистрации изменений.